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結晶矽太陽電池使用之矽晶材料，因晶體結構的差異，可分為單晶矽(mono-crystalline)與多晶矽(multi-crystalline)兩種，前者將矽原料熔融後再以拉晶方式製作出單晶晶棒，後者是將矽原料熔融後以較低溫凝固成形的多晶晶錠，目前在使用上約有60%是以價格較低多晶矽片為主。

從長晶(crystal growth)技術趨勢來看，仍是以多晶矽(Multi-Si)為最多，其次則是單晶矽，薄膜(Thin Films)及Ribbon Si則合佔不足10%。要生產單晶矽(mono-Si)的技術有Float Zone(FZ)及Czochralski(CZ)，而多晶矽則有Ingot及Ribbon法，其中除了Ribbon法外，其餘的都需要切片(Slice)。現今CZ法以直徑125 mm為常見，未來則以直徑156 mm為目標，而Ingot未來則朝向208mm，Ribbon所製成的較小，未來應朝向125mm。

至於多晶鑄造技術方面，則是加大鑄晶爐與縮短cycle time，一般對於250~300 kg的多晶鑄造而言，晶體成長速度為0.1~0.2 mm/min，其晶體生長時間為35~45 hr。石英坩鍋(quartz crucible)在晶體成長(1400℃)前不可發生有破裂現象，否則會產生漏湯現象，故石英坩鍋為多晶鑄造製程的重要耗材，興美材料(MeiTEK)目前已建立採用高純度石英粉末，透過精密陶瓷成形製程，經高溫燒結(sintering)得到合適的結晶度(crystalline)的實驗技術，可以與相關業者進行合作開發大尺寸石英坩鍋。